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产品描述：
EM78P372N是一个8位的微处理器设计和低功耗和高速CMOS技术开发。该器件具有一个片上2K别13位一次性可编程只读存储器（OTP-ROM）。它提供了一个保护位，以防止用户的OTP存储器的代码入侵。三个代码选项位可满足用户的要求。
通过增强的OTP-ROM的特点，EM78P372N提供了开发和验证用户的程序的简便方法。此外，该OTP设备提供了简单而有效的程序更新，使用开发和编程工具的优点。用户可以使用义隆烧录器很容易编写自己的开发代码。
产品特点
CPU配置
2Kx13位片内ROM
80x8位片内寄存器（SRAM）
8级堆栈。
4级可编程电压检测（LVD）：4.5V，4.0V，3.3V，2.2V
3级可编程电压复位（LVR）：4.0V，3.5V，2.7V
小于1.5毫安5V/4兆赫
通常情况下15?A，在3V/32kHz时
通常情况下2?A，在休眠模式下
I / O端口配置
3个双向I / O端口：P5，P6，P7
18个I / O引脚与引脚1I
唤醒端口：P5
8个可编程下拉I/ O引脚
16个可编程上拉I / O引脚
8个可编程漏极开路I / O引脚
14个可编程高灌电流I / O引脚
外部interrupt?P60
工作电压和温度范围：
2.1V～5.5V，在0℃～70℃（商业）
2.3V～5.5V，在-40°C～85°C（工业级）
操作模式：
晶振模式：
DC～16兆赫，4.5V;
DC～8MHz的，3V; DC～4兆赫，2.1V
ERC模式下：
DC～2兆赫，2.1V;
IRC模式：
振荡方式：16兆赫，4兆赫，1兆赫，8 MHz的
内部RC频率漂移率
温度（-40?C～85?C）电压（2.1V～5.5V）过程共
4兆赫∮2％∮1％∮2％∮5％
16 MHz的∮2％∮1％∮2％∮5％
8 MHz的∮2％∮1％∮2％∮5％
1千赫∮2％∮1％∮2％∮5％
振荡方式：
快速建立时间仅需要为0.8ms（VDD：5V水晶：4 MHz时，C1 / C2：15pF的）在XT模式和10冚S IN IRC模式（VDD：5V，IRC：4 MHz时）
八个中断源：三个外部和内部五：
TCC溢出中断
输入端口的状态变化中断（从睡眠模式唤醒）
外部中断
ADC转换结束中断
比较器状态改变中断
低电压检测（LVD）中断
PWM1～2周期匹配中断
PWM1～2职责匹配中断
封装类型：
10引脚MSOP封装118mil：EM78P372NMS10J/ S
10引脚SSOP150mil：EM78P372NSS10J/ S
14引脚DIP300MIL：EM78P372ND14J/ S
14引脚SOP150mil：EM78P372NSO14J/ S
16引脚SOP150mil：EM78P372NSO16AJ/ S
18引脚DIP300MIL：EM78P372ND18J/ S
18引脚SOP300MIL：EM78P372NSO18J/ S
20引脚DIP300MIL：EM78P372ND20J/ S
20脚SOP300MIL：EM78P372NSO20J/ S
20引脚SSOP209mil：EM78P372NSS20J/ S